LED显示照明行业新十年|硅基Mini LED显示
LED行业每十年左右迎来一轮大的技术和应用升级。十年前以大尺寸背光、小间距显示为代表的应用升级，驱动了2010-2017年LED行业的繁荣。而结合目前芯片价格上涨、中国台湾产业链营收回暖等迹象，LED行业拐点正在来临，下游需求向好叠加技术升级推动行业景气抬升，Mini/Micro LED将开启下一个十年。
LED日趋微型化，Mini & Micro LED应运而生， Mini LED背光产品对提升显示质量效果显著， Mini LED背光商业化进展迅速，有望成为液晶高端显示器解决方案。专家预测Mini & Micro LED直显可能是未来最优的显示技术；高画质、低能耗特点使其在消费电子市场优势尽显。
2021年8月4日，深圳市照明与显示工程行业协会、惠州仲恺高新区LED品牌发展促进会、广州国际照明展览会在广州国际照明展9.2号馆E60联合主办主题为“LED显示照明行业新十年”的Mini & Micro LED显示照明发展高峰论坛。
大会现场
晶能芯片中心总监杨小东出席Mini & Micro LED显示照明发展高峰论坛并做《硅基LED Mini超高清显示屏应用趋势》主题演讲。
晶能芯片中心总监 杨小东
以下是报告主要内容：
晶能硅基垂直芯片方案有三大优势：
01
Mini LED显示方案
晶能TFFC芯片P0.6—P0.3间距解决方案简介：
TFFC: 一般指经过衬底剥离的薄膜LED芯片，做成倒装结构，称为thin film flip chip，薄膜倒装LED芯片或者去衬底倒装LED芯片，简称TFFC。
晶能P0.6—P0.3显示方案TFFC 2*4mil芯片简介：
VTF/TFFC 芯片实现P0.6—0.3技术方案介绍：
由于现有四元红光去衬底后机械强度不够，在极小芯片尺寸下进行转移的过程中容易碎裂，很难进行后续的工艺生产。晶能将以下两个技术路线为主要研发方向：
技术路线一：
RGB三色均采用InGaN TFFC ，LED外延、芯片制程统一。硅基InGaN红光LED取得巨大突破，为该技术提供可能。
技术路线二：
TFFC芯片+量子点/KSF红光（QD/KSF+蓝光InGaNLED）,采用印刷、喷涂、打印等技术，在蓝光LED表面放置QD或者KSF荧光粉得到红色的LED。
TFFC、FC与Micro芯片对比（实现P0.6以下间距显示）：
用Micro芯片技术的约70%去实现Mini显示，降低了技术难度，同时可以让4k、8k超高清显示的LED芯片成本大幅度降低，大量量产有机会在2年内实现。
02
硅基Mini LED芯片进展
晶能硅基Mini LED 产品量产规划：
4K、8K Mini超高清显示大屏在5G技术的驱动下势不可挡，晶能硅基Mini LED芯片技术路线有机会提供一个超高性价比光源解决方案。
03
硅基Micro LED芯片展望
Micro LED预研：
世界范围内主流Micro的研究方向还是以硅衬底GaN LED去衬底技术路线为主，由于硅衬底GaN与硅半导体晶圆的物理兼容性，可以最大效能利用晶能现有资源，同时避开巨量转移问题，公司优先着力Micro LED微显示研究，应用AR/VR/HUD/HMD等方向。
硅基GaN与硅基CMOS驱动电路进行晶圆级邦定，去除硅衬底后在CMOS晶圆继续GaN芯片工艺。
研发路线：先单色，后全彩。
