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Micro LED

Micro LED新型显示技术有广阔的发展前景,可应用于AR眼镜、HUD、ADB车灯、透明显示等广阔领域。8英寸及以上的硅衬底GaN搭配硅CMOS驱动晶圆的Micro LED技术,可以借助成熟的集成电路设备和工艺,是制造低成本、高良率的Micro-LED的必然产业化路线。


依托近20年的硅衬底LED全链条产业化积累,晶能光电针对Micro LED应用开发了365nm~650nm的4英寸~12英寸硅衬底InGaN基近紫外、蓝、绿、红光外延片,在光效、一致性、可靠性等关键产业化指标上进行了全方位优化,并在此基础上成功开发了红、绿、蓝Micro-LED微显阵列。


公司致力于为全球客户提供高品质的硅衬底Micro LED外延芯片和器件模组,助力元宇宙无限可能的应用。


特点和优点

  1. 利用大尺寸硅衬底GaN技术制备Micro LED;具有大尺寸、低成本、无损去衬底、IC工艺兼容性等诸多优势;

  2. 8英寸的衬底相比于4英寸的衬底,单位衬底面积的Micro LED芯片产出增加了25%;

  3. 利用8英寸硅衬底制备Micro LED,每个显示模组的BOM成本只有4英寸蓝宝石方案上的30%(含外延、芯片和CMOS)。