2021年12月7日， 在深圳举办了“2022集邦咨询化合物半导体新应用前瞻分析会”。晶能光电应邀参加，大会上晶能光电外延研发经理郭啸分享了《硅基氮化镓Micro LED显示技术发展与未来》的主题报告。

演讲中，晶能光电外延研发经理郭啸为大家分享了硅衬底Mini LED和Micro LED的特点和优势。在谈到Mini LED时，郭经理详细介绍了晶能光电的硅衬底全垂直结构Mini LED产品量产规划并介绍了Mini LED 超高清显示屏应用进展和正在开发中的TFFC芯片P0.6—P0.3间距解决方案。同时也介绍了在超高清显示屏应用中硅衬底全垂直结构Mini LED产品有着光品质优良、垂直发光没有侧光、对比度高；同时具有良好的耐电流冲击和抗静电能力；产品一致性好、稳定性好、可靠性高；没有金属Cr可完全避免金属离子迁移问题等几大优势。

在Micro LED部分，他指出，相比成熟的OLED技术，Micro LED显示技术具有低功耗；高对比度、高亮度；超高解析度和色彩饱和度；高刷新率，寿命长、稳定性好；宽色域、宽视角；透明性、无缝衔接等先天优势。但是在开发和产业化过程中还存在很多的困难，其中红光LED是Micro LED技术的重大瓶颈之一，开发高效的GaN基红光Micro LED成为当务之急。

郭啸表示晶能光电的GaN基 LED技术在这方面有着很大的优势，由于硅衬底GaN与硅半导体晶圆的物理兼容性，硅衬底Micro LED在制程良率和制造成本上有明显的优势，可以最大效能利用现有资源，同时避开巨量转移问题，晶能光电优先着力Micro LED微显示研究，应用AR/VR/HUD/HMD等方向，硅基GaN与硅基CMOS驱动电路进行晶圆级邦定，去除硅衬底后在CMOS晶圆继续GaN芯片工艺。