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《2016年中国半导体照明产业发展白皮书》热点:硅衬底LED技术不断突破

时间:2017-01-03 来源: 点击:2731

2016年年末,《2016年中国半导体照明产业发展白皮书》(以下称《白皮书》)发布。在《白皮书》中,国家半导体照明工程研发及产业联盟产业研究院(CSA Research)对2016年的LED产业发展进行了全景式回顾与展望。

《白皮书》指出,2016年LED技术水平明显提升,热点方向变化更迭。其中,硅衬底LED技术作为第三种技术路线不断取得突破,硅基黄光LED(565nm)电光转换效率达到21%(20A/cm2),光效达到130 lm/W;硅基绿光LED(520nm)电光转换效率达到40%(20A/cm2),光效超过180 lm/W,达到国际领先水平。硅衬底LED的技术突破为非荧光粉转化的全光谱LED光源开发打下坚实基础。

(信息整理自中国半导体照明网)


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