紫外LED主要分为：UVA LED（320nm-410nm），UVB（280nm-320nm）,UVC（200nm-275nm）。在目前的紫外LED市场中，UVA LED占有高达90%的份额，主要应用领域包括UV胶水、薄膜、油墨等涂料的光固化、生物诱导、空气净化等等。和蓝光LED一样，UVA LED也是基于InGaN多量子阱垒有源区。但随着UVA波长变短，量子阱内的In组分急剧降低，依赖于In富集效应的光电转换效率会快速递减，而且还面临芯片内近紫外光吸收损失、老化光衰大、抗静电能力差等问题。

晶能光电充分拓展了硅衬底垂直LED芯片衬底易剥离、出光效率高等优势，推出了高光效、抗静电能力强、高可靠性的UVA LED芯片系列。在外延方面，基于原创的硅衬底GaN技术，采用了创新的复合应力调控和位错湮灭结构，生长高质量、低吸光的 nAlGaN电流扩展层。针对UVA LED对非辐复合中心浓度更敏感的特点，开发了载流子高局域化、低应变状态的量子阱垒结构。突破了高Al组分材料中空穴浓度低的瓶颈，并导入独特的Mg原子逆扩展阻挡技术，提升空穴注入效率，降低芯片电压，进一步改善了光衰。芯片方面，晶能光电利用硅衬底湿法无损剥离的优势，结合高反射率的ODR结构、选择性粗化技术、和高可靠性的钝化工艺，成功实现了高良率、高取光效率的垂直结构硅衬底UVA LED芯片量产。