CSA阮军秘书长主持会议，首先介绍了筹备背景。硅基LED作为由中国创新引领的半导体照明技术路线，继2015年硅基蓝光LED获得国家技术发明奖一等奖后，硅基黄光和绿光LED在“十三五”期间也达到国际先进水平，获得了中村修二等国内外权威专家的高度认可。硅基LED芯片技术虽然在路灯、手机闪光灯、移动照明等领域获得规模化应用，但总体规模还不大。此外，基于硅基GaN材料在5G通讯、消费类电子等领域也拥有广阔的市场应用空间。为了加快硅基LED技术进步和产业化，CSA经过和相关单位沟通后启动了专委会筹建工作。

CSA吴玲理事长在致辞中表示，硅基LED作为三条技术路线之一，在很多应用领域取得了非常好的成绩。面向“十四五”，科技部除考虑重点研发计划以外，在国家技术创新中心建设以及通过示范应用推动新基建技术升级等方面，也在考虑对第三代半导体材料进行支持。希望硅基LED专委会能够进一步加强技术融合、跨界的研发，在技术突破之外，更多的考虑硅基LED的应用如何落地；打通技术链条的同时，在标准、检测、认证等方面补齐短板。

李晋闽主任祝贺硅基专委会成立筹备会的顺利召开。LED还有很多技术、科学的问题需要我们去解决，联盟应继续发挥更大的组织、协调作用。硅基GaN将来无论是照明，还是进一步延伸到红外、紫外、射频都会有广泛的应用，硅基专委会在未来的工作中都会有巨大发展空间，衷心希望各方在推动硅基LED应用当中，尽一些绵薄之力。

与会专家和企业代表一致肯定了硅基专委会建设的意义和重要性，并对专委会建设、下一步重点工作，以及专委会工作条例进行了充分讨论，为硅基专委会下一步发展献计献策。

江风益院士在会议总结时表示，今天参会单位来自科研院所和产业界上中下游，具有广泛的代表性。江风益院士介绍了硅基氮化镓材料的最新进展，硅基蓝光LED已实现产业化，在部分细分市场站稳了脚跟。硅基绿光、黄光、金黄光也取得了比较好的进展，在一些专用市场用的很好。针对Micro-LED红光效率低的难题，南昌大学在硅衬底上制备的Micro-LED尺寸的InGaN红光LED也取得了比较好的进展。硅衬底氮化镓材料往长波长发展，做绿光、黄光、红光潜力很大；往短波长发展，做近紫外，中紫外、深紫外LED也有它的发展潜力。此外，硅基氮化镓在电力电子器件、射频器件方面也非常有研究价值。今天筹备成立硅基专委会，希望专委会成员产学研通力协作，各单位在不同角度发挥各自优势，为半导体照明产业发展增添新的活力。

下一步CSA将根据与会专家意见和建议，完善硅基专委会筹建方案和工作条例，尽快推动硅基专委会正式成立。

（来源于：国家半导体照明工程研发及产业联盟）